فروشنده های IPB037N06N3 G
فروشگاهی یافت نشد
مشخصات IPB037N06N3 G
- RoHS true
- Type N Channel
- Category Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet Infineon Technologies IPB037N06N3 G
- Operating Temperature -55°C~+175°C@(Tj)
- Power Dissipation (Pd) 188W
- Total Gate Charge (Qg@Vgs) 98nC@0~10V
- Drain Source Voltage (Vdss) 60V
- Input Capacitance (Ciss@Vds) 8nF@30V
- Continuous Drain Current (Id) 90A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 3V@90uA
- Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) 58pF@30V
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 3mΩ@10V,90A
- Package TO-263
- Manufacturer Infineon Technologies
فروشنده های IPB037N06N3 G
فروشگاهی یافت نشد