دیتاشیت BFP 520F H6327

BFP 520F H6327

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت BFP 520F H6327
حجم فایل 62.671 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

دانلود دیتاشیت BFP 520F H6327

BFP 520F H6327 Datasheet

مشخصات

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: Infineon Technologies BFP 520F H6327
  • Transistor Type: NPN
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 50mA
  • Power Dissipation (Pd): 120mW
  • Transition Frequency (fT): 45GHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 70@20mA,2V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 200nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 2.5V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): -
  • Package: TSFP-4
  • Manufacturer: Infineon Technologies