- صفحه اصلی
- دانلود دیتاشیت
- دیتاشیت SPP08N50C3
SPP08N50C3 دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | SPP08N50C3 |
|---|---|
| حجم فایل | 87.492 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 14 |
دانلود دیتاشیت SPP08N50C3 |
دانلود دیتاشیت |
|---|
سایر مستندات
مستندات دیگری یافت نشد!
مشخصات فنی
- RoHS: true
- Type: N Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: Infineon Technologies SPP08N50C3
- Power Dissipation (Pd): 83W
- Drain Source Voltage (Vdss): 560V
- Continuous Drain Current (Id): 7.6A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3.9V@350uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 600mΩ@10V,4.6A
- Package: TO-220F-3
- Manufacturer: Infineon Technologies