Infineon Technologies IRF3415PBF دیتاشیت

IRF3415PBF

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IRF3415PBF
حجم فایل 76.708 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت IRF3415PBF-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 1 N-channel
  • Category: Transistors/Thyristors/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IRF3415PBF
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C
  • Power Dissipation (Pd): 200W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 200nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 150V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 2.4nF
  • Continuous Drain Current (Id): 43A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 340pF@120V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 0.042Ω@10V,22A
  • Package: TO-220AB

محصولات مشابه