دیتاشیت SI7326DN-T1-GE3

SI7326DN-T1-GE3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SI7326DN-T1-GE3
حجم فایل 1045.754 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

دانلود دیتاشیت SI7326DN-T1-GE3

SI7326DN-T1-GE3 Datasheet

مشخصات

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SI7326DN-T1-GE3
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 1.5W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 13nC@5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): -
  • Continuous Drain Current (Id): 6.5A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.8V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 19.5mΩ@10A,10V
  • Package: PowerPAK1212-8
  • Manufacturer: Vishay Intertech