دیتاشیت SIS412DN-T1-GE3

SIS412DN-T1-GE3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SIS412DN-T1-GE3
حجم فایل 88.602 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 14

دانلود دیتاشیت SIS412DN-T1-GE3

SIS412DN-T1-GE3 Datasheet

مشخصات

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SIS412DN-T1-GE3
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 3.2W;15.6W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 12nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 435pF@15V
  • Continuous Drain Current (Id): 12A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 24mΩ@10V,7.8A
  • Package: PowerPAK1212-8
  • Manufacturer: Vishay Intertech

دیتاشیت محصولات مشابه