BSC109N10NS3G دیتاشیت

BSC109N10NS3G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت BSC109N10NS3G
حجم فایل 56.899 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت BSC109N10NS3G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies BSC109N10NS3G
  • Power Dissipation (Pd): 78W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Continuous Drain Current (Id): 63A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3.5V@45uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 10.9mΩ@10V,46A
  • Package: DFN-8(5x6)
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه