- صفحه اصلی
- دانلود دیتاشیت
- دیتاشیت SPP11N80C3
SPP11N80C3 دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | SPP11N80C3 |
|---|---|
| حجم فایل | 72.424 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 10 |
دانلود دیتاشیت SPP11N80C3 |
دانلود دیتاشیت |
|---|
سایر مستندات
مستندات دیگری یافت نشد!
مشخصات فنی
- RoHS: true
- Type: N Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: Infineon Technologies SPP11N80C3
- Power Dissipation (Pd): 156W
- Drain Source Voltage (Vdss): 800V
- Continuous Drain Current (Id): 11A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3.9V@680uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 450mΩ@10V,7.1A
- Package: TO-220
- Manufacturer: Infineon Technologies