دیتاشیت IRF1010EZSTRLP
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت |
IRF1010EZSTRLP
|
| حجم فایل |
87.344
کیلوبایت
|
| نوع فایل |
pdf
|
| تعداد صفحات |
12
|
مشخصات
-
RoHS:
true
-
Type:
N Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
Infineon Technologies IRF1010EZSTRLP
-
Operating Temperature:
-55°C~+175°C@(Tj)
-
Power Dissipation (Pd):
140W
-
Total Gate Charge (Qg@Vgs):
86nC@10V
-
Drain Source Voltage (Vdss):
60V
-
Input Capacitance (Ciss@Vds):
2810pF@25V
-
Continuous Drain Current (Id):
75A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
4V@100uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
8.5mΩ@10V,51A
-
Package:
TO-263-3
-
Manufacturer:
Infineon Technologies
