دیتاشیت SI2300DS-T1-GE3
مشخصات دیتاشیت
نام دیتاشیت | SI2300DS-T1-GE3 |
---|---|
حجم فایل | 78.323 کیلوبایت |
نوع فایل | |
تعداد صفحات | 10 |
دانلود دیتاشیت SI2300DS-T1-GE3 |
SI2300DS-T1-GE3 Datasheet |
---|
مشخصات
- RoHS: true
- Type: N Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: Vishay Intertech SI2300DS-T1-GE3
- Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
- Power Dissipation (Pd): 1.1W;1.7W
- Total Gate Charge (Qg@Vgs): 10nC@10V
- Drain Source Voltage (Vdss): 30V
- Input Capacitance (Ciss@Vds): 320pF@15V
- Continuous Drain Current (Id): 3.6A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.5V@250uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 68mΩ@4.5V,2.9A
- Package: SOT-23
- Manufacturer: Vishay Intertech