NJD35N04G دیتاشیت

NJD35N04G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NJD35N04G
حجم فایل 92.226 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 4

مشاهده دیتاشیت NJD35N04G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Darlington Transistors
  • Datasheet: onsemi NJD35N04G
  • Transistor Type: NPN
  • Operating Temperature: -65°C~+150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 4A
  • Power Dissipation (Pd): 45W
  • Transition frequency (fT): 90MHz
  • DC current gain (hFE@Vce,Ic): 2000@2V,2A
  • Collector-emitter voltage (Vceo): 350V
  • Collector cut-off current (Icbo@Vcb): 50uA
  • Collector-emitter saturation voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 1.5V@2A,20mA
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: onsemi

محصولات مشابه