SIHG20N50C-E3 دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
SIHG20N50C-E3
|
|
حجم فایل
|
85.991
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
8
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Type:
N Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
Vishay Intertech SIHG20N50C-E3
-
Operating Temperature:
-55°C~+150°C@(Tj)
-
Power Dissipation (Pd):
250W
-
Total Gate Charge (Qg@Vgs):
76nC@10V
-
Drain Source Voltage (Vdss):
500V
-
Input Capacitance (Ciss@Vds):
2942pF@25V
-
Continuous Drain Current (Id):
20A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
5V@250uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
270mΩ@10V,10A
-
Package:
TO-247AC-3
-
Manufacturer:
Vishay Intertech
