SI4435DY دیتاشیت

SI4435DY

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SI4435DY
حجم فایل 44.534 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 2

دانلود دیتاشیت SI4435DY

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

SI4435DY 7 pages

SI4435DY 8 pages

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 1 Piece P-Channel
  • Category: Transistors/Thyristors/MOSFETs
  • Datasheet: onsemi SI4435DY
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C
  • Power Dissipation (Pd): 2.5W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 17nC
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1.604nF@15V
  • Continuous Drain Current (Id): 8.8A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 202pF
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 20mΩ@10V,8.8A
  • Package: SO-8

محصولات مشابه