HY1906P دیتاشیت

HY1906P

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HY1906P
حجم فایل 47.031 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

مشاهده دیتاشیت HY1906P

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HUAYI HY1906P
  • Power Dissipation (Pd): 188W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 60V
  • Continuous Drain Current (Id): 120A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 7.5mΩ@10V,60A
  • Package: TO-220FB-3L
  • Manufacturer: HUAYI

محصولات مشابه