MJD122G دیتاشیت

MJD122G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت MJD122G
حجم فایل 64.745 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

دانلود دیتاشیت MJD122G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Darlington Transistors
  • Datasheet: onsemi MJD122G
  • Transistor Type: NPN
  • Operating Temperature: -65°C~+150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 8A
  • Power Dissipation (Pd): 20W
  • Transition frequency (fT): 4MHz
  • DC current gain (hFE@Vce,Ic): 1000@4V,4A
  • Collector-emitter voltage (Vceo): 100V
  • Collector cut-off current (Icbo@Vcb): 10uA
  • Collector-emitter saturation voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 4V@8A,80mA
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: onsemi

محصولات مشابه