RQ6P015SPTR دیتاشیت

RQ6P015SPTR

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت RQ6P015SPTR
حجم فایل 69.943 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 13

مشاهده دیتاشیت RQ6P015SPTR

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: ROHM Semicon RQ6P015SPTR
  • Power Dissipation (Pd): 600mW
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 322nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 950pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 1.5A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@1mA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 470mΩ@1.5A,10V
  • Package: SOT-23-6
  • Manufacturer: ROHM Semicon

محصولات مشابه