دیتاشیت ترانزیستور IXFH60N65X2

IXFH60N65X2 Preliminary

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IXFH60N65X2 Preliminary
حجم فایل 161.835 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

دانلود دیتاشیت IXFH60N65X2 Preliminary

IXFH60N65X2 Preliminary Datasheet

مشخصات

  • Manufacturer: IXYS
  • Series: HiPerFET™
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 650V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6180pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 780W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Package / Case: TO-247-3
  • detail: N-Channel 650V 60A (Tc) 780W (Tc) Through Hole

دیتاشیت محصولات مشابه