RU1J002YNTCL دیتاشیت

RU1J002YNTCL

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت RU1J002YNTCL
حجم فایل 67.836 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 12

مشاهده دیتاشیت RU1J002YNTCL

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: ROHM Semicon RU1J002YNTCL
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 150mW
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): -
  • Drain Source Voltage (Vdss): 50V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 26pF@10V
  • Continuous Drain Current (Id): 200mA
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 800mV@1mA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 3pF@10V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1.6Ω@4.5V,200mA
  • Package: SOT-323(SC-70)
  • Manufacturer: ROHM Semicon

محصولات مشابه