STB,F,P45N65M5 دیتاشیت

STB,F,P45N65M5

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت STB,F,P45N65M5
حجم فایل 1719.194 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 20

دانلود دیتاشیت STB,F,P45N65M5

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: STMicroelectronics
  • Series: MDmesh™ V
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 650V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 19.5A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375pF @ 100V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
  • Operating Temperature: 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: TO-220
  • Package / Case: TO-220-3
  • Base Part Number: STP45N
  • detail: N-Channel 650V 35A (Tc) 210W (Tc) Through Hole TO-220