دیتاشیت IXFH80N65X2 ماسفت کانال N

IXFx80N65X2 Preliminary

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IXFx80N65X2 Preliminary
حجم فایل 905.125 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

دانلود دیتاشیت IXFx80N65X2 Preliminary

IXFx80N65X2 Preliminary Datasheet

مشخصات

  • Manufacturer: IXYS
  • Series: HiPerFET™
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 650V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 40A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8245pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: TO-247
  • Package / Case: TO-247-3
  • detail: N-Channel 650V 80A (Tc) 890W (Tc) Through Hole TO-247

دیتاشیت محصولات مشابه