دیتاشیت IPD65R1K4C6

IPD65R1K4C6

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IPD65R1K4C6
حجم فایل 32.944 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 15

دانلود دیتاشیت IPD65R1K4C6

IPD65R1K4C6 Datasheet

مشخصات

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IPD65R1K4C6
  • Power Dissipation (Pd): 28W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 650V
  • Continuous Drain Current (Id): 3.2A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3.5V@100uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1.4Ω@10V,1A
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: Infineon Technologies

دیتاشیت محصولات مشابه