IPD079N06L3G دیتاشیت

IPD079N06L3G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IPD079N06L3G
حجم فایل 56.511 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

دانلود دیتاشیت IPD079N06L3G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IPD079N06L3G
  • Power Dissipation (Pd): 79W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 60V
  • Continuous Drain Current (Id): 50A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.2V@34uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 7.9mΩ@10V,50A
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه