STP34NM60N دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
STP34NM60N
|
|
حجم فایل
|
60.275
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
17
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
STMicroelectronics STP34NM60N
-
Power Dissipation (Pd):
250W
-
Total Gate Charge (Qg@Vgs):
80nC@10V
-
Input Capacitance (Ciss@Vds):
2722pF@100V
-
Continuous Drain Current (Id):
29A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
4V@250uA
-
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds):
-
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
105mΩ@14.5A,10V
-
Package:
TO-220
-
Manufacturer:
STMicroelectronics
