APT6011B2VRG دیتاشیت

APT6011(B2,L)VR

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت APT6011(B2,L)VR
حجم فایل 152.623 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 4

مشاهده دیتاشیت APT6011(B2,L)VR

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: Microchip Technology
  • Series: POWER MOS V®
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 24.5A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 450nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: T-MAX™ [B2]
  • Package / Case: TO-247-3 Variant
  • detail: N-Channel 600V 49A (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]

محصولات مشابه