APT19F100J دیتاشیت

APT19F100J

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت APT19F100J
حجم فایل 337.083 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 4

مشاهده دیتاشیت APT19F100J

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مشخصات فنی

  • Manufacturer: Microchip Technology
  • Series: POWER MOS 8™
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 16A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8500pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Chassis Mount
  • Supplier Device Package: ISOTOP®
  • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
  • detail: N-Channel 1000V 20A (Tc) 460W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®

محصولات مشابه