APTM120DA30T1G دیتاشیت

APTM120DA30T1G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت APTM120DA30T1G
حجم فایل 460.749 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت APTM120DA30T1G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مشخصات فنی

  • Manufacturer: Microchip Technology
  • Series: -
  • Packaging: Bulk
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 560nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14560pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 657W (Tc)
  • Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Chassis Mount
  • Supplier Device Package: SP1
  • Package / Case: SP1
  • detail: N-Channel 1200V 31A (Tc) 657W (Tc) Chassis Mount SP1

محصولات مشابه