APT1001RBN دیتاشیت

APT1001RBN

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت APT1001RBN
حجم فایل 52.013 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 4

مشاهده دیتاشیت APT1001RBN

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: Microchip Technology
  • Series: POWER MOS IV®
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Obsolete
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5.5A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: TO-247AD
  • Package / Case: TO-247-3
  • detail: N-Channel 1000V 11A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-247AD

محصولات مشابه