FQD2N100TM دیتاشیت

FQD2N100, FQU2N100

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت FQD2N100, FQU2N100
حجم فایل 867.202 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت FQD2N100, FQU2N100

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: ON Semiconductor
  • Series: QFET®
  • Packaging: Cut Tape (CT)
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 800mA, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Supplier Device Package: D-Pak
  • Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Base Part Number: FQD2
  • detail: N-Channel 1000V 1.6A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount D-Pak

محصولات مشابه