SMMBT3906WT1G دیتاشیت

SMMBT3906WT1G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SMMBT3906WT1G
حجم فایل 92.902 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 14

مشاهده دیتاشیت SMMBT3906WT1G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: onsemi SMMBT3906WT1G
  • Transistor Type: PNP
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 150mW
  • Transition Frequency (fT): 250MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 100@10mA,1V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 400mV@5mA,50mA
  • Package: SC-70-3
  • Manufacturer: onsemi
  • Series: *
  • Packaging: Cut Tape (CT)
  • Part Status: Obsolete
  • Base Part Number: MMBT3906
  • detail: Bipolar (BJT) Transistor