MMBT2484LT1G دیتاشیت

MMBT2484LT1G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت MMBT2484LT1G
حجم فایل 69.963 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 5

مشاهده دیتاشیت MMBT2484LT1G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: onsemi MMBT2484LT1G
  • Transistor Type: NPN
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 100mA
  • Power Dissipation (Pd): 225mW
  • Transition Frequency (fT): -
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 250@1mA,5V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 10nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 60V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 350mV@1mA,100uA
  • Package: SOT-23(TO-236)
  • Manufacturer: onsemi
  • Series: *
  • Packaging: Cut Tape (CT)
  • Part Status: Obsolete
  • Base Part Number: MMBT2484
  • detail: Bipolar (BJT) Transistor

محصولات مشابه