FDG311N دیتاشیت

FDG311N

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت FDG311N
حجم فایل 70.016 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت FDG311N

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

FDG311N 7 pages

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 1 N-channel
  • Category: Transistors/Thyristors/MOSFETs
  • Datasheet: onsemi FDG311N
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 750mW
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 4.5nC@4.5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 20V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 270pF@10V
  • Continuous Drain Current (Id): 1.9A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.5V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 115mΩ@1.9A,4.5V
  • Package: SC-70-6

محصولات مشابه