STI18N65M2 دیتاشیت

ST(I,P)18N65M2

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت ST(I,P)18N65M2
حجم فایل 537.912 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 15

مشاهده دیتاشیت ST(I,P)18N65M2

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: STMicroelectronics
  • Series: MDmesh™ M2
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 650V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 6A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770pF @ 100V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
  • Operating Temperature: 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: I2PAK
  • Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • Base Part Number: STI18N
  • detail: N-Channel 650V 12A (Tc) 110W (Tc) Through Hole I2PAK

محصولات مشابه