FQD4P25TM-WS دیتاشیت

FQD4P25TM-WS

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت FQD4P25TM-WS
حجم فایل 75.68 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

مشاهده دیتاشیت FQD4P25TM-WS

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

FQD4P25TM_WS 8 pages

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 1 Piece P-Channel
  • Category: Transistors/Thyristors/MOSFETs
  • Datasheet: onsemi FQD4P25TM-WS
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 2.5W;45W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 14nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 250V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 420pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 3.1A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 5V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 2.1Ω@1.55A,10V
  • Package: TO-252AA

محصولات مشابه