IRLS640A دیتاشیت

IRLS640A

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IRLS640A
حجم فایل 723.275 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت IRLS640A

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: ON Semiconductor
  • Series: -
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 200V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 4.9A, 5V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 5V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1705pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: TO-220F
  • Package / Case: TO-220-3 Full Pack
  • Base Part Number: IRLS64
  • detail: N-Channel 200V 9.8A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220F

محصولات مشابه