2SA1962OTU دیتاشیت

2SA1962OTU

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت 2SA1962OTU
حجم فایل 70.016 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

دانلود دیتاشیت 2SA1962OTU

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: onsemi 2SA1962OTU
  • Package: TO-3P-3
  • Manufacturer: onsemi
  • Series: -
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • Transistor Type: PNP
  • Current - Collector (Ic) (Max): 17A
  • Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
  • Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
  • Power - Max: 130W
  • Frequency - Transition: 30MHz
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
  • Supplier Device Package: TO-3P
  • Base Part Number: 2SA1962
  • detail: Bipolar (BJT) Transistor PNP 250V 17A 30MHz 130W Through Hole TO-3P

محصولات مشابه