BC848CPDW1T1G دیتاشیت

BC848CPDW1T1G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت BC848CPDW1T1G
حجم فایل 94.419 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 19

مشاهده دیتاشیت BC848CPDW1T1G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: onsemi BC848CPDW1T1G
  • Package: SC-70-6
  • Manufacturer: onsemi
  • Series: -
  • Packaging: Tape & Reel (TR)
  • Part Status: Obsolete
  • Transistor Type: NPN, PNP
  • Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
  • Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA
  • Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
  • Power - Max: 380mW
  • Frequency - Transition: 100MHz
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
  • Base Part Number: BC848
  • detail: Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 30V 100mA 100MHz 380mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363

محصولات مشابه