SMMUN2114LT1G دیتاشیت

DTA114YET1G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت DTA114YET1G
حجم فایل 89.821 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 13

مشاهده دیتاشیت DTA114YET1G-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Digital Transistors
  • Datasheet: onsemi SMMUN2114LT1G
  • Transistor Type: One PNP - Pre-Biased
  • Collector Current (Ic): 100mA
  • Power Dissipation (Pd): 246mW
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 80@5mA,10V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 500nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 50V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 250mV@10mA,300uA
  • Package: SOT-23(TO-236)
  • Manufacturer: onsemi
  • Series: *
  • Packaging: Cut Tape (CT)
  • Part Status: Obsolete
  • Base Part Number: MMUN21
  • detail: Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)

محصولات مشابه