SMMUN2114LT1G دیتاشیت

DTA114YET1G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت DTA114YET1G
حجم فایل 89.821 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 13

دانلود دیتاشیت DTA114YET1G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Digital Transistors
  • Datasheet: onsemi SMMUN2114LT1G
  • Transistor Type: One PNP - Pre-Biased
  • Collector Current (Ic): 100mA
  • Power Dissipation (Pd): 246mW
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 80@5mA,10V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 500nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 50V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 250mV@10mA,300uA
  • Package: SOT-23(TO-236)
  • Manufacturer: onsemi
  • Series: *
  • Packaging: Cut Tape (CT)
  • Part Status: Obsolete
  • Base Part Number: MMUN21
  • detail: Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)

محصولات مشابه