FDB12N50F دیتاشیت

FDB12N50F

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت FDB12N50F
حجم فایل 786.6 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

مشاهده دیتاشیت FDB12N50F-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

FDB12N50FTM-WS 9 pages

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 1 N-channel
  • Category: Transistors/Thyristors/MOSFETs
  • Datasheet: onsemi FDB12N50FTM-WS
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 165W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 21nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 500V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1.05nF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 11.5A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 5V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 11pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 590mΩ@10V,6A
  • Package: D2PAK

محصولات مشابه