NSBC114EDXV6T1G دیتاشیت

NSBC114EDXV6T1G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NSBC114EDXV6T1G
حجم فایل 97.236 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

مشاهده دیتاشیت NSBC114EDXV6T1G-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Digital Transistors
  • Datasheet: onsemi NSBC114EDXV6T1G
  • Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased
  • Collector Current (Ic): 100mA
  • Power Dissipation (Pd): 500mW
  • Transition Frequency (fT): -
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 35@5mA,10V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 500nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 50V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 250mV@10mA,300uA
  • Package: SOT-563
  • Manufacturer: onsemi
  • Series: *
  • Packaging: Cut Tape (CT)
  • Part Status: Obsolete
  • Base Part Number: NSBC11
  • detail: Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)

محصولات مشابه