NSVMUN5211DW1T3G دیتاشیت

MUN5211DW1, NSBC114EDxx

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت MUN5211DW1, NSBC114EDxx
حجم فایل 154.451 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

دانلود دیتاشیت MUN5211DW1, NSBC114EDxx

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: ON Semiconductor
  • Series: -
  • Packaging: Cut Tape (CT)
  • Part Status: Active
  • Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
  • Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
  • Resistor - Base (R1): 10kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
  • Frequency - Transition: -
  • Power - Max: 250mW
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
  • Base Part Number: NSVMUN52
  • detail: Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363