SMMBT2369ALT1G دیتاشیت

SMMBT2369ALT1G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SMMBT2369ALT1G
حجم فایل 87.127 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت SMMBT2369ALT1G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

MMBT2369L,AL 6 pages

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: onsemi SMMBT2369ALT1G
  • Transistor Type: NPN
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 200mA
  • Power Dissipation (Pd): 225mW
  • Transition Frequency (fT): -
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 20@100mA,1V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 400nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 15V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 500mV@100mA,10mA
  • Package: SOT-23(TO-236)
  • Manufacturer: onsemi
  • Series: *
  • Packaging: Cut Tape (CT)
  • Part Status: Obsolete
  • Base Part Number: MMBT2369
  • detail: Bipolar (BJT) Transistor

محصولات مشابه