SMMBT6427LT1G دیتاشیت

SMMBT6427LT1G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SMMBT6427LT1G
حجم فایل 76.419 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت SMMBT6427LT1G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

MMBT,SMMBT6427LT1G 6 pages

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Darlington Transistors
  • Datasheet: onsemi SMMBT6427LT1G
  • Transistor Type: NPN
  • Operating Temperature: -
  • Collector Current (Ic): 500mA
  • Power Dissipation (Pd): 225mW
  • Transition frequency (fT): -
  • DC current gain (hFE@Vce,Ic): 20000@5V,100mA
  • Collector-emitter voltage (Vceo): 40V
  • Collector cut-off current (Icbo@Vcb): 1uA
  • Collector-emitter saturation voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 1.5V@500mA,500uA
  • Package: SOT-23-3
  • Manufacturer: onsemi
  • Series: *
  • Packaging: Cut Tape (CT)
  • Part Status: Obsolete
  • Base Part Number: MMBT6427
  • detail: Bipolar (BJT) Transistor

محصولات مشابه