NSS35200MR6T1G دیتاشیت

NSS35200MR6T1G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NSS35200MR6T1G
حجم فایل 117.562 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت NSS35200MR6T1G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: ON Semiconductor
  • Series: -
  • Packaging: Cut Tape (CT)
  • Part Status: Active
  • Transistor Type: PNP
  • Current - Collector (Ic) (Max): 2A
  • Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 310mV @ 20mA, 2A
  • Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 1.5V
  • Power - Max: 625mW
  • Frequency - Transition: 100MHz
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Package / Case: SOT-23-6
  • Supplier Device Package: 6-TSOP
  • Base Part Number: NSS352
  • detail: Bipolar (BJT) Transistor PNP 35V 2A 100MHz 625mW Surface Mount 6-TSOP

محصولات مشابه