FQU10N20CTU دیتاشیت

FQD/ FQU10N20C

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت FQD/ FQU10N20C
حجم فایل 670.618 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

دانلود دیتاشیت FQD/ FQU10N20C

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Package: TO-251-3
  • Manufacturer: onsemi
  • Series: QFET®
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 200V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3.9A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: I-PAK
  • Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Base Part Number: FQU1
  • detail: N-Channel 200V 7.8A (Tc) 50W (Tc) Through Hole I-PAK

محصولات مشابه