2N5657 دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
2N5657
|
|
حجم فایل
|
509.17
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
5
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Category:
Transistors/Thyristors/Bipolar (BJT)
-
Datasheet:
onsemi 2N5657G
-
Transistor Type:
NPN
-
Operating Temperature:
-65°C~+150°C@(Tj)
-
Collector Current (Ic):
500mA
-
Power Dissipation (Pd):
20W
-
Transition Frequency (fT):
10MHz
-
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce):
30@100mA,10V
-
Collector Cut-Off Current (Icbo):
10uA
-
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo):
350V
-
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib):
10mV@500mA,100mA
-
Package:
TO-225-3
