FQAF11N90C دیتاشیت

FQAF11N90C

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت FQAF11N90C
حجم فایل 649.618 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

مشاهده دیتاشیت FQAF11N90C

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

FQAF11N90C 10 pages

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Package: TO-3PF
  • Manufacturer: onsemi
  • Series: QFET®
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 900V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3.5A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: TO-3PF
  • Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
  • Base Part Number: FQAF1
  • detail: N-Channel 900V 7A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-3PF

محصولات مشابه