NSVMMBT5087LT1G دیتاشیت

NSVMMBT5087LT1G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NSVMMBT5087LT1G
حجم فایل 75.105 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

مشاهده دیتاشیت NSVMMBT5087LT1G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

MMBT5087LT 7 pages

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: onsemi NSVMMBT5087LT1G
  • Transistor Type: PNP
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 50mA
  • Power Dissipation (Pd): 225mW
  • Transition Frequency (fT): 40MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 250@100?A,5V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 50nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 50V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 300mV@1mA,10mA
  • Package: SOT-23-3
  • Manufacturer: onsemi
  • Series: *
  • Packaging: Cut Tape (CT)
  • Part Status: Obsolete
  • Base Part Number: MMBT5087
  • detail: Bipolar (BJT) Transistor

محصولات مشابه