NSBC143TPDXV6T1G دیتاشیت

NSBC143TPDXV6T1G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NSBC143TPDXV6T1G
حجم فایل 89.892 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت NSBC143TPDXV6T1G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Digital Transistors
  • Datasheet: onsemi NSBC143TPDXV6T1G
  • Transistor Type: 1 NPN,1 PNP - Pre-Biased
  • Collector Current (Ic): 100mA
  • Power Dissipation (Pd): 500mW
  • Transition Frequency (fT): -
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 160@5mA,10V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 500nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 50V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 250mV@10mA,300uA
  • Package: SOT-563
  • Manufacturer: onsemi
  • Series: *
  • Packaging: Cut Tape (CT)
  • Part Status: Obsolete
  • Base Part Number: NSBC14
  • detail: Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)

محصولات مشابه