55GN01MA-TL-E دیتاشیت

55GN01MA

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت 55GN01MA
حجم فایل 309.153 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

مشاهده دیتاشیت 55GN01MA

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Transistor Type: NPN
  • Collector Current (Ic): 70mA
  • Power Dissipation (Pd): 400mW
  • Transition Frequency (fT): 5.5GHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 100@10mA,5V
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 10V
  • Package: MCPH-3
  • Manufacturer: onsemi
  • Series: -
  • Packaging: Cut Tape (CT)
  • Part Status: Active
  • Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
  • Frequency - Transition: 4.5GHz ~ 5.5GHz
  • Noise Figure (dB Typ @ f): 1.9dB @ 1GHz
  • Gain: 10dB @ 1GHz
  • Power - Max: 400mW
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
  • Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
  • Operating Temperature: 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Package / Case: SC-70, SOT-323
  • Supplier Device Package: 3-MCP
  • Base Part Number: 55GN01
  • detail: RF Transistor NPN 10V 70mA 4.5GHz ~ 5.5GHz 400mW Surface Mount 3-MCP

محصولات مشابه